不過，頻頻漲價的內(nèi)存和閃存，多來自國際大廠，國產(chǎn)品牌寥寥無幾。
本文是“果殼硬科技”策劃的“國產(chǎn)替代”系列第四篇文章，關(guān)注半導體存儲器國產(chǎn)替代。在本文中 ，你將了解到：不同類型半導體存儲器技術(shù)細節(jié)，國內(nèi)外在市場上的基本情況，國產(chǎn)半導體存儲器發(fā)展情況。
存儲芯片被分成兩大類
對人來說，記憶力是重要的，重量1.4kg的人腦就能夠存儲超過2.5PB（千萬億字節(jié)）的信息[4]。對現(xiàn)代電子系統(tǒng)來說，存儲信息同樣重要。
1947年，曼徹斯特大學使用威廉姆斯-基爾伯恩管 (Williams-Kilburn tube）記錄數(shù)據(jù)點，此后存儲器開始走向全電子化，并經(jīng)歷了數(shù)代磁存儲技術(shù)迭代。1970年代開始，半導體存儲器逐漸發(fā)展成主流[5]。
如今，半導體存儲器已經(jīng)成為半導體產(chǎn)業(yè)最大細分市場，約占全球半導體產(chǎn)業(yè)的三分之一[6]。據(jù)統(tǒng)計，至2025年全球?qū)a(chǎn)生175ZB（十萬億億字節(jié)）數(shù)據(jù)[7]，這會帶動半導體存儲器繼續(xù)增長。IC insights預測，未來五年半導體存儲器將保持6.8%的年復合增長率[8]。
在半導體領(lǐng)域，存儲器被分為易失性存儲器（內(nèi)存）和非易失性存儲器（外存）兩個大類，前者在掉電時數(shù)據(jù)會立即消失，后者則不受斷電影響，持久儲存數(shù)據(jù)。
易失性存儲器在過去幾十年內(nèi)沒有特別大的變化，依然是以SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）為主，非易失性存儲器（NVM）則是不斷有新的技術(shù)浮現(xiàn)[9]。
